Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Нет оценок

Купили 5 человек

Переплёт
Твёрдый
Кол-во стр.
304
Вес
379 г
Год издания
2012

Отзывы

Описание и характеристики

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiC>2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов. .

Переплёт
Твёрдый
Кол-во стр.
304
Вес
379 г
Год издания
2012
Издательство
Просвещение-Союз
Размеры в см
1.5x14.5x21.5
ID товара
2525487
ISBN
978-5-9963-0633-6

Книга «Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения» есть в наличии в интернет-магазине «Читай-город» по привлекательной цене. Если вы находитесь в Москве, Санкт-Петербурге, Нижнем Новгороде, Казани, Екатеринбурге, Ростове-на-Дону или любом другом регионе России, вы можете оформить заказ на книгу «Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения» и выбрать удобный способ его получения: самовывоз, доставка курьером или отправка почтой. Чтобы покупать книги вам было ещё приятнее, мы регулярно проводим акции и конкурсы.