МОС-гидридная эпитаксия в технологии материаловфотоники и электроники
- Кол-во стр. 488
- Вес 760 г
- Год издания 2020
- Издательство
Отзывы
Описание и характеристики
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
- Кол-во стр. 488
- Вес 760 г
- Год издания 2020
- Издательство
- Автор
- Размеры в см 2.5x17.5x24
- ID товара 3044774
- ISBN 978-5-94836-521-3
